单次就诊筛查耳蜗内组织生长，经多次就诊电学测量变化验证

目的：耳蜗植入电极周围的组织生长（tissue growth, TG）会升高阻抗，但在 CT 扫描上并不能可靠地显示出来。常规记录的刺激电流诱导的非刺激电极电压（SCINSEV）携带这一信息，但单次记录缺乏患者特异性参照。我们提出一种算法，可从单次 SCINSEV 测量中检测显著 TG 的征象。方法：假定 TG 集中于电极插入部位附近的基底端，使顶端区域基本不受影响。将由 CT 构建的患者特异性前向模型拟合至顶端测量值，并据此预测基底端测量值。失配评分 T 衡量每个基底触点相对于顶端失配的有符号相对失配，并考虑顶端拟合质量与测量噪声。当两个相邻基底触点越过预定阈值时，该耳被标记。我们将 T 与 T-delta 进行比较，后者是一种无模型参照，追踪自术中记录以来基底相对于顶端 SCINSEV 的变化，并要求该变化在最近两次随访中持续存在。结果：T 在无组织生长的耳上假阳性率为 3%。在 68 只耳中，T 与 T-delta 的一致率为 81%（敏感度 71%；特异度 86%；p = 6e-6）。在 200 次患者层面的两折划分中，留出集一致率中位数为 78%，假阳性率为 5.1%。结论：经顶端拟合的患者特异性模型能较好地预测基底 SCINSEV，足以在单次随访中标记显著 TG 的征象，而无需术中基线。检测结果与持续存在的多次随访基底对顶端变化基本一致，后者是显著 TG 的替代性真值标准。

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